Login
 Forum
 
 
Thesis topic proposal
 
Különböző bevonatú titánium implantátumok és a szervezet kölcsönhatásának vizsgálata

THESIS TOPIC PROPOSAL

Institute: Semmelweis University, Budapest
clinical medicine
Doctoral School of Clinical Medicine

Thesis supervisor: György Szabó
Location of studies: Semmelweis Egyetem
Abbreviation of location of studies: SE


Description of the research topic:

Az orvosi implantátumok felületi szerkezetének javítása az implantátumok előállítása során egyre fontosabb szerepet tölt be. A szervezet az implantátum felszínével találkozik. A felszínen keresztül történik az esetleges ioncsere. A felszínen át jutnak a szervezetbe esetleges nem kívánatos anyagok és a szervezet teljes agresszivitásával igyekszik áthatolni az implantátum felszínén.

A legjobb fém bioanyagnak tartott titán felszínét amorph oxidréteg borítja, amely messze nem jelent szigetelést a szervezet és a fém között. Ezért a titánnal kapcsolatban számtalan felületkezelési eljárás ismeretes, melyeknek az évek során előnyei és hátrányai bizonyosodtak be.

Az egyik új módszer a titán-dioxida bevonat. Ennek lényege, hogy a fémet az amorph titán-dioxid helyett elektrokémiai és hőkezelés során előállított kristályos, kemény titán-dioxiddal (anatáz, rutil) fedik be. Ezt az eljárást évek óta alkalmazzák (kidolgozásában a SOTE Szájsebészeti Klinika nagy szerepet játszott).

Fontos kérdés, hogy az eddigieknél pontosabban meg lehessen határozni ennek a szigetelőrétegnek az esetleges átjárhatóságát, hogy melyek azok a körülmények, a mechanikai (hajlítás, ütés, karcolás, stb)és a szervezet által létrehozott kémiai behatások, melyek a kb. 2500-3000 A vastagságú réteget átjárhatóvá teszik. Mindezt kémiai, mechanikai, vizsgálatok és állatkísérletek segítségével kívánjuk felmérni.

Number of students who can be accepted: 3

Deadline for application: 2016-10-31

 
All rights reserved © 2007, Hungarian Doctoral Council. Doctoral Council registration number at commissioner for data protection: 02003/0001. Program version: 1.2318 ( 2016. XI. 26. )