Újfalussy Balázs - ODT Személyi adatlap


	Bejelentkezés Fórum Szervezet tisztségviselők tagintézmények határozatok alapító okirat ügyrend Doktori képzés doktori iskolák intézményenként tudományáganként azonosító alapján megszűnt oktatók név alapján kutatási téma szerint archívum témakiírások doktori iskolánként tudományáganként kutatási téma szerint témavezetések hallgatók keresése Doktori védések intézményenként tudományáganként név szerint dátum szerint doktori iskolánként Honosított fokozatok intézményenként tudományáganként név szerint dátum szerint Habilitációs előadások intézményenként tudományterületenként név szerint Dokumentumok nyilvános anyagok hírek jogszabályok útmutatók Kapcsolatok elérhetőségünk partnereink

Személyi adatlap

Nyomtatási kép

ARCHÍV OLDAL
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2018. III. 02.

Személyes adatok

név	Újfalussy Balázs
intézmény neve	Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Eötvös Loránd Tudományegyetem
doktori iskola	BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola (oktató Az oktató a doktori iskola doktoranduszai számára oktat tantárgyat, és/vagy a doktori iskola megszavazta, hogy doktoranduszok számára kutatási témát írjon ki. ) ELTE Fizika Doktori Iskola (oktató Az oktató a doktori iskola doktoranduszai számára oktat tantárgyat, és/vagy a doktori iskola megszavazta, hogy doktoranduszok számára kutatási témát írjon ki. )
doktori képzéssel kapcsolatos munkájának megoszlása	BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola 33% ELTE Fizika Doktori Iskola 67%
adott-e már oktatóként valamely doktori iskolát működtető intézménynek akkreditációs nyilatkozatot?	Eötvös Loránd Tudományegyetem

Elérhetőségek
drótpostacím	buszfki.hu
telefonszám	+36 1 312-2969
mobiltelefon száma	+36 30 314-5888

Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím	PhD
fokozat megszerzésének éve	1996
fokozat tudományága	fizikai tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve	ELTE TTK

Jelenlegi munkahelyek
1989 -	MTA Wigner Fizikai Kutatokozpont (további intézmény) további (Tudomanys Fomunkatar)

Témavezetés

témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma

ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma

témavezetettjei közül fokozatot szereztek:

(50%)	Csire Gábor	PhD	2017	FDI2-ELTE
	Simon Eszter	PhD	2012	FDI2-ELTE

Témakiírások

Kutatás
kutatási terület	Szilardtestfizika
jelenlegi kutatásainak tudományága	fizikai tudományok

Közlemények

2015

Csire G, Újfalussy B, Cserti J, Gyorffy B: Multiple scattering theory for superconducting heterostructures, PHYSICAL REVIEW B 91: (16) Paper 165142. 11 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
Teljes szöveg

2015

Rakyta P, Ujfalussy B, Szunyogh L: Band bending at the surface of Bi2Se3 studied from first principles, NEW JOURNAL OF PHYSICS 17: Paper 123011. 10 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 5
nyelv: angol
DOI

2014

Ujfalussy B, Simon E: Exchange interaction between magnetic impurities on surfaces of CuxPd1-x and CuxAu1-x random substitutional alloys, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 26: (27) Paper 274211. 6 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
nyelv: angol
DOI

2013

Okada M, Rotenberg E, Kevan SD, Schäfer J, Ujfalussy B, Stocks GM, Genatempo B, Bruno E, Plummer EW: Evolution of the electronic structure in Mo1-xRex alloys, NEW JOURNAL OF PHYSICS 15: 19 p. Paper 093010.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 4.063*
nyelv: angol
DOI

2012

Vajna Sz, Simon E, Szilva A, Palotas K, Ujfalussy B, Szunyogh L: Higher-order contributions to the Rashba-Bychkov effect with application to the Bi/Ag(111) surface alloy, PHYSICAL REVIEW B 85: (7) Paper 075404. 7 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 27
nyelv: angol
Teljes szöveg

2011

Simon E, Ujfalussy B, Lazarovits B, Szilva A, Szunyogh L, Stocks GM: Exchange interaction between magnetic adatoms on surfaces of noble metals, PHYSICAL REVIEW B 83: (22) Paper 224416. 5 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 15
nyelv: angol
Teljes szöveg

2011

Deak A, Szunyogh L, Ujfalussy B: Thickness-dependent magnetic structure of ultrathin Fe/Ir(001) films: From spin-spiral states toward ferromagnetic order, PHYSICAL REVIEW B 84: (22) Paper 224413. 9 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 13
nyelv: angol
Teljes szöveg

2010

Simon E, Szilva A, Ujfalussy B, Lazarovits B, Zarand G, Szunyogh L: Anisotropic Rashba splitting of surface states from the admixture of bulk states: Relativistic ab initio calculations and k·p perturbation theory, PHYSICAL REVIEW B 81: (23) Paper 235438. 5 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 13
nyelv: angol
Teljes szöveg

1996

Újfalussy B, Szunyogh L, Bruno P, Weinberger P: First-principles calculation of the anomalous perpendicular anisotropy in Co monolayer on Au(111), PHYSICAL REVIEW LETTERS 77: pp. 1805-1808.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 119
nyelv: angol
DOI

1995

Zeller R, Dederichs B, Újfalussy B, Szunyogh L, Weinberger P: Theory and convergence properties of the screened Korringa-Kohn-Rostoker method, PHYSICAL REVIEW B 52: (12) pp. 8807-8812.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 141
nyelv: angol
DOI

a legjelentősebbnek tartott közleményekre kapott független hivatkozások száma:

335

Tudománymetriai adatok

Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban

a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:

összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:

kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:

monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:

külföldön megjelent, figyelembe vehető tudományos közleményei:

hazai kiadású, figyelembe vehető idegen nyelvű közleményei:

összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:

944

2024. IV. 17.
ODT ülés
Az ODT következő ülésére 2024. június 14-én, pénteken 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).