Bejelentkezés
 Fórum
 
 
Személyi adatlap
 Nyomtatási kép
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2016. IV. 22.
Személyes adatok
Riesz Ferenc
név Riesz Ferenc
születési év 1965
intézmény neve
doktori iskola
BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola (oktató)
Elérhetőségek
drótpostacím rieszmfa.kfki.hu
telefonszám +36 1 392-2222/3156
saját honlap
saját honlap (angol)
Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím PhD
fokozat megszerzésének éve 1994
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve MTA Tudományos Minősítő Bizottság
tudományos fokozat, cím CSc
fokozat megszerzésének éve 1994
fokozat tudományága
fokozatot kiadó intézmény neve MTA
Jelenlegi munkahelyek
2015 - MTA Energiatudományi Kutatóközpont, Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet (további intézmény)
további (tudományos főmunkatárs)
Témavezetés
témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma 1
ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma 1
témavezetettjei közül fokozatot szereztek:
Lukács István Endre PhD 2006  FTDI-BME

  Témakiírások
Kutatás
kutatási terület félvezetők fizikája és technológiája, síkjellegű felületek optikai metrológiája, Makyoh-topográfia
jelenlegi kutatásainak tudományága villamosmérnöki tudományok
fizikai tudományok
Közlemények
2013

Riesz F: Non-linearity and related features of Makyoh (magic-mirror) imaging, JOURNAL OF OPTICS 15: (7) 14 p. Paper 075709.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 2.010
nyelv: angol
DOI 
2011

Riesz F: General spectral properties of Makyoh imaging of quasi-periodic surfaces, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY 43: (1) pp. 245-247.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.515
nyelv: angol
DOI 
2011

Riesz F: Sensitivity and detectability in Makyoh imaging, OPTIK 122: (11) pp. 1005-1009.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 0.510
nyelv: angol
DOI 
2011

Bosi M, Attolini G, Watts BE, Rossi F, Ferrari C, Riesz F, Jiang L: Wafer curvature analysis in 3C-SiC layers grown on (0 0 1) and (1 1 1) Si substrates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 318: (1) pp. 401-405.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.726
független idéző közlemények száma: 6
nyelv: angol
DOI 
2011

C Frigeri, M Serényi, N Q Khánh, A Csík, F Riesz, Z Erdélyi, L Nasi, D L Beke, H-G Boyen: Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers, NANOSCALE RESEARCH LETTERS 6: (1) 6 p. Paper 189.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 2.726
független idéző közlemények száma: 3
nyelv: angol
DOI 
2000

Riesz F: Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 33: (23) pp. 3033-3040.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.179
független idéző közlemények száma: 18
nyelv: angol
1996

Riesz F: Crystallographic tilting in high-misfit (100) semiconductor heteroepitaxial systems, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 14: (2) pp. 425-430.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.612
független idéző közlemények száma: 31
nyelv: angol
1996

Riesz F: Crystallographic tilting in lattice-mismatched heteroepitaxy: A Dodson-Tsao relaxation approach, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 79: (8) pp. 4111-4117.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.812
független idéző közlemények száma: 15
nyelv: angol
1993

Riesz F: The role of surface steps in the asymmetric surface dislocation nucleation in vicinal heterostructures with compressive and tensile stresses, SURFACE SCIENCE 292: (3) pp. L817-L820.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 2.639
független idéző közlemények száma: 8
nyelv: angol
1991

Riesz F, Lischka K, Rakennus K, Hakkarainen T, Pesek A: Tilting of lattice planes in InP epilayers grown on miscut GaAs substrates: the effect of initial growth conditions, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 114: (1-2) pp. 127-132.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.551
független idéző közlemények száma: 17
nyelv: angol
a legjelentősebbnek tartott 10 közleményre kapott független hivatkozások száma:98 
Tudománymetriai adatok
Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban
a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:
152
összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:
167
kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:
0
monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:
1 
összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:
370
Akkreditációs szempontból jelentős egyéb információk
Nemzetközi szabadalom: Lukács IE (23%), Makai JP (24%), Pfitzner L (5%), Riesz F (34%), Szentpáli B (14%) Apparatus and measurement procedure for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces European Patent EP 1 434 981 B1, July 5, 2006 US Patent 7,133,140 B2, November 7, 2006

 
Minden jog fenntartva © 2007, Országos Doktori Tanács - a doktori adatbázis nyilvántartási száma az adatvédelmi biztosnál: 02003/0001. Program verzió: 1.2318 ( 2016. XI. 26. )