Bejelentkezés
 Fórum
 
 
Személyi adatlap
 Nyomtatási kép
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2015. XII. 18.
Személyes adatok
Battistig Gábor
név Battistig Gábor
születési év 1957
intézmény neve
doktori iskola
BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola (oktató)
BME Villamosmérnöki Tudományok Doktori Iskola (témakiíró)
doktori képzéssel kapcsolatos munkájának megoszlása BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola 30%
BME Villamosmérnöki Tudományok Doktori Iskola 70%
Elérhetőségek
drótpostacím battistimfa.kfki.hu
telefonszám +36 1 392-2616
mobiltelefon száma +36 30 600-3363
saját honlap
Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím PhD
fokozat megszerzésének éve 2002
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve BME
Jelenlegi munkahelyek
1981 - MTA EK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet (további intézmény)
további (főmunkatárs)
Témavezetés
témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma 2
ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma 1
témavezetettjei közül fokozatot szereztek:
Pongrácz Anita PhD 2010  FTDI-BME

  Témakiírások
Kutatás
kutatási terület anyagtudomány, ionsugaras analitika, félvezetőfizika, érzékelők, érzékelési elvek, mikrotechnológia, technológiafejlesztés, mikroelektromechanikus rendszerek
jelenlegi kutatásainak tudományága anyagtudományok és technológiák
villamosmérnöki tudományok
Közlemények
2016

G Z Radnóczi, E Dodony, G Battistig, N Vouroutzis, P Kavouras, J Stoemenos, N Frangis, A Kovács, B Pécz: Structural characterization of nanostructures grown by Ni metal induced lateral crystallization of amorphous-Si, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119: (6) Paper 065303. 16 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
nyelv: angol
URL 
2014

I Bársony, Cs Dücső, P Fürjes, F Riesz, Z Hajnal, G Battistig: Membrane Platforms for Sensors, PROCEDIA ENGINEERING 87: pp. 871-878.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk
nyelv: angol
DOI 
2013

Marton G, Fekete Z, Fiath R, Baracskay P, Ulbert I, Juhasz G, Battistig G, Pongracz A: In vivo measurements with robust silicon-based multielectrode arrays with extreme shaft lengths, IEEE SENSORS JOURNAL 13: (9) pp. 3263-3269. pp. 3263-3269.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
URL 
2012

Battistig G: Orientation dependent growth of SiC nanocrystals at the SiO2/Si interface, THIN SOLID FILMS 520: (6) pp. 1973-1977.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
nyelv: angol
DOI 
2012

Szentpáli B, Matyi G, Fürjes P, László E, Battistig G, Bársony I, Károlyi G, Berceli T: THERMOPILE-BASED THz ANTENNA, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES 18: (7-8) pp. 849-856.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
DOI 
2011

Zolnai Z, Nagy N, Deak A, Battistig G, Kótai E: Three-dimensional view of the shape, size, and atomic composition of ordered nanostructures by Rutherford backscattering spectrometry, PHYSICAL REVIEW B CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS 83: (23) Paper 233302. 4 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 3
nyelv: angol
DOI 
2010

Zolnai Z, Deak A, Nagy N, Toth AL, Kotai E, Battistig G: A 3D-RBS study of irradiation-induced deformation and masking properties of ordered colloidal nanoparticulate masks, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 268: (1) pp. 79-86.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 5
nyelv: angol
DOI 
2010

Szentpáli B, Basa P, Fürjes P, Battistig G, Bársony I, Károlyi G, Berceli T, Rymanov V, Stöhr A: Thermopile antennas for detection of millimeter waves, APPLIED PHYSICS LETTERS 96: (13) Paper 133507. 3 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 8
nyelv: angol
DOI 
2010

Mizsei J, Pap AE, Gillemot K, Battistig G: Effect of deuterium on passivation of Si surfaces, APPLIED SURFACE SCIENCE 256: (19) pp. 5765-5770.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 6
nyelv: angol
Teljes szöveg 
2009

Pongracz A, Hoshino Y, D Angelo M, Cavellin C D, Ganem J -J, Trimaille I, Battistig G, Josepovits K V, Vickridge I: Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nanocrystals at the SiO<sub>2</sub> /Si interface by CO annealing, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106: (2) Paper 024302. 5 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
DOI 
a legjelentősebbnek tartott 10 közleményre kapott független hivatkozások száma:28 
Tudománymetriai adatok
Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban
a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:
110
összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:
124
kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:
0
monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:
0 
összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:
553

 
Minden jog fenntartva © 2007, Országos Doktori Tanács - a doktori adatbázis nyilvántartási száma az adatvédelmi biztosnál: 02003/0001. Program verzió: 1.2318 ( 2016. XI. 26. )