Bejelentkezés
 Fórum
 
 
Személyi adatlap
 Nyomtatási kép
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2016. IX. 15.
Személyes adatok
Horváth Zsolt József
név Horváth Zsolt József
születési év 1949
intézmény neve
Óbudai Egyetem
Egyetemi Doktori Tanács
doktori iskola
BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola (oktató)
OE Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola (törzstag)
Doktori Iskola Tanácsa
doktori képzéssel kapcsolatos munkájának megoszlása BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola 17%
OE Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola 81%
OE ATDI-OE Doktori Iskola Tanácsa 1%
OE Egyetemi Doktori Tanács 1%
adott-e már oktatóként valamely doktori iskolát működtető intézménynek akkreditációs nyilatkozatot? Óbudai Egyetem
MAB minősítés
a törzstagság feltételeinek megfelel
(2012. II. 29.)
Elérhetőségek
drótpostacím horvzsjmfa.kfki.hu
telefonszám +36 1 666-5145
saját honlap
saját honlap (angol)
Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím PhD
fokozat megszerzésének éve 1994
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve Budapesti Műszaki Egyetem
tudományos fokozat, cím CSc
fokozat megszerzésének éve 1994
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve MTA
tudományos fokozat, cím DSc
fokozat megszerzésének éve 2009
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve MTA
Jelenlegi munkahelyek
1998 - Óbudai Egyetem
egyetemi tanár
Témavezetés
témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma 3
ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma 1
témavezetettjei közül fokozatot szereztek:
Basa Péter PhD 2009  FTDI-BME

  Témakiírások
Kutatás
kutatási terület Félvezető anyagok, szerkezetek és eszközök fizikája és technológiája.
jelenlegi kutatásainak tudományága villamosmérnöki tudományok
anyagtudományok és technológiák
Közlemények
2014

L Dobos, B Pécz, L Tóth, Zs J Horváth, Z E Horváth, A L Tóth, M -A Poisson: Annealed Ti/Cr/Al contacts on n-GaN, VACUUM 100: pp. 46-49.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
DOI 
2014

Horváth Zs J: Threshold//Flat-Band Voltage Hysteresis of Non-Volatile Semiconductor Memory Devices, In: Szerk.: Jose Carlos Dias Hysteresis: Types, Applications and Behavior Patterns in Complex Systems. New York: Nova Science Publishers, 2014. pp. 187-214. (Materials Science and Technologies)
dokumentum típusa: Könyvrészlet/Könyvfejezet
nyelv: angol
2013

Horváth ZsJ, Basa P, Molnár KZ, Jászi T, Pap AE, Molnár Gy, Dobos L, Tóth L, Pécz B: Charging Behaviour of Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Memory Structures with Embedded Si or Ge Nanocrystals, NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS 5: (4) pp. 513-517.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
URL 
2013

Horváth ZsJ, Basa P, Jászi T, Molnár KZ, Pap AE, Molnár Gy: Charging behavior of silicon nitride based non-volatile memory structures with embedded semiconductor nanocrystals, APPLIED SURFACE SCIENCE 269: pp. 23-28.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
URL 
2013

Horváth ZsJ, Basa P, Molnár KZ, Molnár Gy, Jászi T, Pap AE: Effect of location of Si or Ge nanocrystals on the memory behavior of MNOS structures., PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 51: pp. 104-110.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 5
nyelv: angol
URL 
2005

Ayyildiz E, Cetin H, Horváth ZJ: Temperature dependent electrical characteristics of Sn/p-Si Schottky diodes, APPLIED SURFACE SCIENCE 252: (4) pp. 1153-1158.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 43
nyelv: angol
DOI 
2004

Osvald J, Horvath ZJ: Theoretical study of the temperature dependence of electrical characteristics of Schottky diodes with an inverse near-surface layer, APPLIED SURFACE SCIENCE 234: (1-4) pp. 349-354.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 76
nyelv: angol
DOI 
1996

Horváth ZJ: Comment on "Analysis of I-V measurements on CrSi2-Si Schottky structures in a wide temperature range", SOLID-STATE ELECTRONICS 39: (1) pp. 176-178.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 88
nyelv: angol
DOI 
1995

HORVATH ZJ: LATERAL DISTRIBUTION OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT - A THEORETICAL APPROACH, VACUUM 46: (8-10) pp. 963-966.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 25
nyelv: angol
1988

HORVATH ZJ: DOMINATION OF THE THERMIONIC-FIELD EMISSION IN THE REVERSE IV CHARACTERISTICS OF N-TYPE GAAS SCHOTTKY CONTACTS, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64: (12) pp. 6780-6784.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 18
nyelv: angol
a legjelentősebbnek tartott 10 közleményre kapott független hivatkozások száma:259 
Tudománymetriai adatok
Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban
a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:
236
összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:
271
kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:
0
monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:
3 
külföldön megjelent, figyelembe vehető tudományos közleményei:
199
hazai kiadású, figyelembe vehető idegen nyelvű közleményei:
27
összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:
823

 
Minden jog fenntartva © 2007, Országos Doktori Tanács - a doktori adatbázis nyilvántartási száma az adatvédelmi biztosnál: 02003/0001. Program verzió: 1.2318 ( 2016. XI. 26. )