Bejelentkezés
 Fórum
 
 
Személyi adatlap
 Nyomtatási kép
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2016. VII. 04.
Személyes adatok
Kovács Balázs
név Kovács Balázs
születési év 1955
intézmény neve
doktori iskola
OE Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola (oktató)
adott-e már oktatóként valamely doktori iskolát működtető intézménynek akkreditációs nyilatkozatot? Óbudai Egyetem
Elérhetőségek
drótpostacím kovacs.balazskvk.uni-obuda.hu
telefonszám +36 1 666-5192
Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím CSc
fokozat megszerzésének éve 1992
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve MTA
tudományos fokozat, cím PhD
fokozat megszerzésének éve 1995
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve Budapesti Műszaki Egyetem
Jelenlegi munkahelyek
2013 - Óbudai Egyetem
egyetemi oktató
Témavezetés
témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma 1
ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma 0
témavezetettjei közül fokozatot szereztek:
Kutatás
kutatási terület Mikroelektronikai technológia Megbízhatóság Gyártmány és gyártástervezés
jelenlegi kutatásainak tudományága villamosmérnöki tudományok
anyagtudományok és technológiák
Közlemények
2006

David L, Dobos L, Kovacs B, Mojzes I, Pecz B: Fractal Character of in Situ Heat Treated Metal-compound Semiconductor Contacts, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 17: (4) pp. 321-324.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.029
nyelv: angol
2002

Kocsis Z, Hopp B, Mudra I, Ripka G, Kovacs B, Mojzes I: Conductivity Modification of Silver Salt-filled Polyimide Film by Pulsed Krf Laser, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 31: (4) pp. 239-243.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.367
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
1998

David L, Kovacs B, Mojzes I, Pecz B, Labar J: Electrical And Microstructure Analysis of Ni/ge/n-gaas Interface, THIN SOLID FILMS 323: (1-2) pp. 212-216.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.019
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
1998

Mojzes I, Kovacs B, Schuszter M, Kun I, Mate L, Dobos L, David L: Fractal behaviour of the surface of in situ heat treated metal-InP contacts, THIN SOLID FILMS 317: (1-2) pp. 69-71.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.019
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
1996

L Dávid, B Kovács, B Pécz, I Mojzes, L Dobos, Gy Vincze: AlNiGe as a new dedicated material for contacts to n-GaAs, PHYSICA A - STATISTICAL MECHANICS AND ITS APPLICATIONS 2: pp. 55-61.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.214
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
1995

KOVACS B, MOLNAR G, DOZSA L, PETO G, ANDRASI M, KARANYI J, HORVATH ZJ: CURRENT-VOLTAGE ANOMALIES ON POLYCRYSTALLINE GDSI2/P-SI SCHOTTKY JUNCTIONS DUE TO GRAIN-BOUNDARIES, VACUUM 46: (8-10) pp. 983-985.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 0.545
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
1994

Kourkoutas CD, Kovács B, Euthymiou PC, Szentpáli B, Somogyi K, Giakoumakis GE: A study of the profile of the E3 electron trap in GaAs, SOLID STATE COMMUNICATIONS 89: (1) pp. 45-49.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.446
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
1993

Horváth ZJ, Molnar G, Kovács B, Pető G, Andrási M, Szentpáli B: Effect of crystallization on the electrical and interface characteristics of GdSi2/p-Si Schotty junctions, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 126: (1) pp. 163-167.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.684
független idéző közlemények száma: 10
nyelv: angol
DOI 
1988

Mojzes I, Veresegyhazy R, Kovacs B, Pecz B, Malina V: Metal-film Barriers Against The Evaporation of Volatile Components During The Heat-treatment of Metal-compound Semiconductor Contacts, THIN SOLID FILMS 164: pp. 1-4.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.144
független idéző közlemények száma: 9
nyelv: angol
1986

Jaroli E, Khanh NQ, Mezey G, Zsoldos E, Kovacs B, Mojzes I, Lohner T, Kotai E, Manuaba A, Fried M, Gyulai J: INTERMETALLIC COMPOUND FORMATION OF GE-NI AND GE-AL-NI SYSTEMS BY FURNACE ANNEALING AND ION-BEAM INTERMIXING, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 15: pp. 703-706.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.063
független idéző közlemények száma: 2
nyelv: angol
DOI 
a legjelentősebbnek tartott 10 közleményre kapott független hivatkozások száma:30 
Tudománymetriai adatok
Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban
a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:
108
összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:
140
kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:
0
monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:
5 
összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:
55

 
Minden jog fenntartva © 2007, Országos Doktori Tanács - a doktori adatbázis nyilvántartási száma az adatvédelmi biztosnál: 02003/0001. Program verzió: 1.2318 ( 2016. XI. 26. )